集成電路制造工藝

芯片廠中通常分為擴散區、光刻區、刻蝕區、離子注入區、薄膜生長區和拋光區6個生產區域：

?擴散區是進行高溫工藝及薄膜積淀的區域，主要設備是高溫爐和濕法清洗設備；

②光刻區是芯片制造的心臟區域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上；  

③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下的圖形；

④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質的氣體；高能雜質離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標硅片；

⑤薄膜生長主要負責生產各個步驟中的介質層與金屬層的淀積。

⑥拋光，即CMP（化學機械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化。